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Bereits seit August 2015 fertigt Samsung die dritte Generation von NAND-Flash mit übereinander gestapelten Zellebenen, den sogenannten 3D-NAND oder V-NAND (Vertical NAND), in Serie. Zunächst nur in der externen Portable SSD T3 eingesetzt, wird der neue V-NAND mit 48 statt 32 Lagen und 256 statt 128 Gigabit auch in der internen Samsung 850 Evo eingeführt. Die Umstellung erfolge ‚sukzessive‘ für alle Modelle der Serie inklusive der mSATA- und M.2-Varianten. Den Anfang machen jedoch die herkömmlichen 2,5-Zoll-Modelle mit 250, 500 und 1.000 GByte. ComputerBase hat die neue Generation der Samsung 850 Evo in Form der Modelle mit 250 und 500 GByte den jeweiligen Vorgängern gegenüber gestellt und Leistung sowie Leistungsaufnahme verglichen. Ursprünglich sollte auch das 1-TB-Modell getestet werden, doch entpuppte sich dessen Muster als falsch gelieferte erste Generation. ...
