Transcend 4 GB DDR4 2666 SO-DIMM RAM Arbeitsspeicher mit 4 GB Kapazität, ideal für Laptops. Ungepuffert und energieeffizient mit 2666 MHz Geschwindigkeit für verbesserte Leistung.
- Hersteller: Transcend
- Farbe: Grün
Preisvergleich ab 51,90 € bis 75,00 €
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Transcend DDR4 4 GB (1 x 4GB, 2666 MHz, DDR4-RAM, SO-DIMM) (TS2666HSH-4G)
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Transcend RAM DDR4 4GB 2666MHz SO-DIMM für Laptop - Modell TS2666HSH-4G
Entdecken Sie die Leistung und Zuverlässigkeit des Transcend TS2666HSH-4G DDR4 RAM, der speziell entwickelt wurde, um die Leistung Ihres Notebooks zu steigern. Dieser 4 GB SO-DIMM-Speicher ist die ideale Lösung für alle, die ein schnelles und effektives Upgrade ihres Laptops suchen.Hauptmerkmale:Kapazität: 4GBTyp: DDR4Geschwindigkeit: 2666MHzFormat: SO-DIMM 260-poligSpannung: 1.2VCAS-Latenzzeit: 19Transcend DDR4-RAM bietet außergewöhnliche Datenübertragungsraten und sorgt für ein reibungsloses und reaktionsschnelles Benutzererlebnis. Mit einer Frequenz von 2666MHz kann dieser Speicher intensives Multitasking und anspruchsvolle Anwendungen ohne Kompromisse bewältigen.Das SO-DIMM-Format macht ihn mit den meisten modernen Laptops kompatibel und bietet eine vielseitige und zuverlässige Aufrüstungsoption. Mit der Konfiguration von 1 x 4 GB können Sie den Arbeitsspeicher Ihres Systems problemlos erweitern und die Gesamtleistung verbessern.Die Installation ist schnell und einfach, so dass Sie die Vorteile dieses Upgrades sofort nutzen können. Egal, ob Sie berufstätig sind, studieren oder sich für Technik begeistern, Transcend 4GB DDR4 RAM ist die ideale Wahl, um die Leistung Ihres Laptops zu optimieren.Lassen Sie sich nicht von der Trägheit Ihres Computers ausbremsen. Entscheiden Sie sich für die Qualität und Zuverlässigkeit von Transcend und genießen Sie ein überragendes Computererlebnis. Speicherkapazität:4 GBSpeicherlayout (Module x Größe):1 x 8 GBInterner Speichertyp:DDR4Komponente für:LaptopMemory Formfaktor:260-pin SO-DIMMGepufferter Speichertyp:Unregistered (unbuffered)CAS Latenz:19Speichertaktfrequenz:2666 MHzSpeicherrangfolge:1Speicherspannung:1.2 VModulkonfiguration:512M x 8Betriebstemperatur:0 - 85 °CWarentarifnummer (HS):84733020 Allgemeine InformationenHersteller:Transcend Information, IncHersteller-Artikelnummer:TS2666HSH-4GHersteller-Webseite:Marke:TranscendProduktbezeichnung:TS2666HSH-4G RAM-ModulProdukttyp:RAM-ModulTechnische InformationenSpeichergröße:4 GBSpeichertechnologie:DDR4 SDRAMSpeicherspannung:1,20 VAnzahl Module:1 x 4GBSpeichergeschwindigkeit:2666 MHzSpeicherstandard:DDR4-2666/PC4-21300Signalverarbeitung:UngepuffertCAS-Latenz:CL19Unterstützte Geräte:NotebookAbmessungen / Gewicht / FarbeAnzahl Nadeln:260-PinFormfaktor:SoDIMM Wir bieten eine große Auswahl von Speicher- und Multimediaprodukten. Kurzinfo: Transcend - DDR4 - Modul - 4 GB - SO DIMM 260-PIN - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - ungepuffert - non-ECC Gruppe RAM Hersteller Transcend Hersteller Art. Nr. TS2666HSH-4G Modell EAN/UPC 0760557846796 Produktbeschreibung: Transcend - DDR4 - Modul - 4 GB - SO DIMM 260-PIN - 2666 MHz / PC4-21300 - ungepuffert Produkttyp Speichermodul Kapazität 4 GB Speichertyp DDR4 SDRAM - SO DIMM 260-PIN Erweiterungstyp Systemspezifisch Datenintegritätsprüfung Non-ECC Geschwindigkeit 2666 MHz (PC4-21300) Latenzzeiten CL19 Leistungsmerkmale Single Rank, ungepuffert Spannung 1.2 V Ausführliche Details Allgemein Kapazität 4 GB Erweiterungstyp Systemspezifisch Speicher Typ DRAM Speichermodul Technologie DDR4 SDRAM Formfaktor SO DIMM 260-PIN Modulhöhe (Zoll) 1.18 Geschwindigkeit 2666 MHz (PC4-21300) Latenzzeiten CL19 Datenintegritätsprüfung Non-ECC Besonderheiten Single Rank, ungepuffert Chip-Organisation 512 x 8 Spannung 1.2 V Verschiedenes Kennzeichnung JEDEC Transcend TS2666HSH-4G. Komponente für: Laptop, Speicherkapazität: 4 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 8 GB, Interner Speichertyp: DDR4, Speichertaktfrequenz: 2666 MHz, Memory Formfaktor: 260-pin SO-DIMM, CAS Latenz: 19
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4GB DDR4 2666Mhz SO-DIMM 1Rx8 512Mx8 CL19 1. 2V kompatibel mit den Intel Coffee Lake- und AMD Ryzen -Prozessoren Nennspannung von nur 1, 2V was sicher stellt, dass sowohl die Betriebstemperatur als auch die elektrische Belastung des Speichercontrollers reduziert werden können, um mehr Energie zu sparen
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